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酸化は、半導体デバイスにおいて最も重要な技術の一つです。本書は、主にSiおよびSiCの酸化機構、さらにそれによって形成されたSiO2と界面の特徴について、酸化に伴って起こる様々な現象の物理的理解に関する議論と、さらにその理解に基づいて課題をどのように克服したらよいのかという議論から構成されています。半導体デバイスをこれから学ぼうとする方はもちろん、すでに本分野の研究活動にたずさわっている方、また本領域を専門としない半導体技術のプロの方にも，酸化の奥深さと面白さを味わっていただくことができます。
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